Статьи автора

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaP_xAs_1−x НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001): КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaP_xAs_1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As₂ и P₂. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.

121 0