Статьи автора

Терагерцевая спектроскопия с временным разрешением (THZ–TDS) светодиодных гетероструктур с тремя и пятью квантовымиямами InxGa1−xN/GaN

Номер выпуска 5 от 01.05.2023

Методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением (THz-TDs) зарегистрированы резонансные частоты плазмонных осцилляций, возбуждаемые в гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InxGa1-x N/GaN лазерными импульсами длительностью 130 фс в диапазоне температур от 90 до 170 К. Быстрое преобразование Фурье временных форм терагерцевых импульсов позволило получить частотные спектры мощности и фазового сдвига терагерцевого излучения, интерпретация которых дала12 3 2-возможность оценить время релаксации квазиимпульса (τ = 10 с), подвижность (µ = 4 · 10 см /В · с)∗и эффективную массу (m = 0.45m) основных носителей заряда в исследованных гетероструктурах. На основании частотных спектров мощности и фазового сдвига терагерцевого излучения были получены температурные зависимости эффективной массы и времени релаксации квазиимпульса двумерного электронного газа (2DEG). Значение подвижности 2DEG, полученное методом THz-TDs, хорошо согласуюется с данными холловских измерений.

48 0