При комнатной температуре измерены широкодиапазонные спектры отражения гексаборидов YbB6 и YB6 с ян-теллеровской неустойчивостью борного каркаса. Анализ оптической проводимости обнаруживает наряду с друдевской электронной составляющей сильно передемпфированные коллективные моды, которые в YB6 характеризуются большими диэлектрическими вкладами ∆ε=2000-5700. Доля неравновесных носителей в гексабориде иттрия (YB6), находящемся на границе структурной неустойчивости ряда гексаборидов, достигает 85-90 %, тогда как в легированном полупроводнике - гексабориде иттербия (YbB6) их концентрация не превышает 25 %. Показано, что в отличие от предсказаний модели топологического кондо-изолятора «металлизация» поверхности в Yb2+B6 может быть объяснена дополнительным легированием приповерхностного слоя ионами Yb3+.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation