By this author

ZAKhVAT ELEKTRONOV I DYROK NA SOSTOYaNIYa VAKANSIY RTUTI S ISPUSKANIEM ODINOChNOGO OPTIChESKOGO FONONA PRI REKOMBINATsII ShOKLI– RIDA–KhOLLA V UZKOZONNYKh TVERDYKh RASTVORAKh HgCdTe

Issue number 6 from 01.06.2024

Расчитано время рекомбинации Шокли – Рида – Холла (ШРХ) при захвате носителей заряда на состояния вакансии ртути в твердых растворах HgCdTe с шириной запрещенной зоны около 40 мэВ. В рассматривемом случае захват как электрона, так и дырки возможен за счет испускания одного оптического фонона. Установлено, что при T = 4.2 и 77 К рекомбинация ШРХ определяет общее время жизни носителей в материале p-типа при концентрации центров рекомбинации более 2・1015 см−3, что позволяет управлять временем жизни носителей за счет изменения концентрации вакансий ртути.

100 0