Для электронной подсистемы ионов переходных металлов, встроенных в кристаллическую решетку или сформировавших комплекс с лигандами, наблюдается эффективное уменьшение межэлектронного отталкивания по сравнению со свободными ионами, которое в современной литературе упоминается как нефелоксетический эффект. В данной работе исследуется роль нефелоксетического эффекта при формировании электронного спектра ионов Fe2+ в матрицах CdTe и ZnSe. Экспериментальная оценка соответствующих поправок осуществлена на основе анализа двух переходов - хорошо известного 5T2(5D) → 5E(5D), позволяющего зафиксировать величину кристаллического поля, и менее изученного 3T1(3H) → 5E(5D). Обнаружение бесфононной линии данного перехода в CdTe:Fe позволило сравнить свойства двух люминесцентных систем и продемонстрировать, что для иона Fe2+ в CdTe роль нефелоксетического эффекта заметно возрастает. На основе полученных экспериментальных данных в сочетании с расчетами в рамках теории кристаллического поля уточнены значения параметров Рака для ионов Fe2+ в матрицах CdTe и ZnSe. Продемонстрированная в работе роль нефелаксетического эффекта для ионов Fe2+ в двух схожих по структуре матрицах важна как для практических задач, связанных с совершенствованием ИК-лазерных систем, так и для разрешения некоторых фундаментальных вопросов квантовой химии.
Представлены результаты исследования влияния внешнего магнитного поля на комплексные модули упругости кристаллов со структурой сфалерита (ZnSe) и вюрцита (CdSe), допированных ионами Cr2+ малой концентрации. Измерения выполнялись на частотах 26-32 МГц при температуре 1.4 К. Двухвалентные катионы хрома в кристаллах типа AIIBVI имеют трехкратное орбитальное вырождение в основном состоянии и, находясь в тетраэдрическом окружении, образуют ян-теллеровские комплексы,описываемые в рамках T ⊗ (e + t2)- задачи и обладающие глобальными минимумами адиабатического потенциала тетрагональной симметрии. Установлено, что в кристалле ZnSe : Cr2+ магнитное поле, направленное вдоль осей [001] и [110], влияет на модуль ( c 11 - c 12) / 2 и не изменяет модуль c 44, в то время как в кристалле CdSe : Cr2+ оба исследованных модуля, c 55 и c 66, являющихся аналогами c 44 и ( c 11 - c 12) / 2, зависят от магнитного поля при его ориентации вдоль осей [10¯10] и [2¯1¯10], соответственно. Интерпретация обнаруженного аномального поведения упругих модулей от магнитного поля дана в рамках модели с учетом кристаллического поля, вибронного и спин-орбитального взаимодействий и с учетом вклада ян-теллеровской подсистемы в изотермические модули, определенные при постоянной магнитной индукции. Получено хорошее согласие с экспериментальными зависимостями упругих модулей в сильных магнитных полях и показано, что немонотонное поведение в слабых полях, ниже 2 Тл, должно определяться зависимостью времени релаксации от магнитного поля. Статья представлена в рамках публикации материалов VIII Евроазиатского симпозиума «Тенденции в магнетизме» (EASTMAG-2022), Казань, август 2022 г.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation