Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ДАВЛЕНИЯ НА ПОВЕДЕНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗЫ ОРГАНИЧЕСКОГО КВАЗИДВУМЕРНОГО ПРОВОДНИКА к-(BEDT-TTF)2Hg(SCN)2Cl. ВКЛАД КОРРЕЛЯЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ

Номер выпуска 5 от 01.05.2024

Квазидвумерный органический металл к-(BEDT-TTF)2Hg(SCN)2Cl при охлаждении ниже T = 30 К переходит в состояние моттовского изолятора. Внешнее гидростатическое давление P > 0.7 кбар восстанавливает металлическое состояние и дает возможность исследовать поведение сопротивления, магнитосопротивления и осцилляций Шубникова – де Гааза при гелиевых температурах в интервале внешних давлений P = 1–8 кбар. Спектр наблюдаемых осцилляций Шубникова – де Гааза хорошо согласуется с теоретическими расчетами зонной структуры. В то же время характеристики осцилляций (циклотронная масса, частота, амплитуда) испытывают существенное влияние электронных корреляций. Сильнокоррелированным системам свойственна также специфическая температурная зависимость сопротивления. При этом давление является основным инструментом, управляющим силой корреляций. Обсуждаются различные версии влияния давления на поведение неосциллирующей части магнитосопротивления.

118 0

КВАЗИДВУМЕРНЫЙ ОРГАНИЧЕСКИЙ ПРОВОДНИК <em>к</em>-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Cl. КОНФОРМАЦИОННЫЙ БЕСПОРЯДОК И ЗАРЯДОВАЯ СТРУКТУРА ПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ

Номер выпуска 6 от 15.12.2024

Методами рентгеноструктурного анализа (РСА), спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и квантово-химического моделирования были исследованы особенности температурного поведения термоактивированного конформационного беспорядка концевых этиленовых групп −C₂H₄− молекул BEDT-TTF (или ET) в кристаллах квазидвумерного органического проводника к-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Cl при температурах от 112 K до 289 K. При медленном охлаждении со скоростью −4K/ч и шагом в 10 K были измерены параметры кристаллической решетки и для характерных точек проведен полный структурный анализ. Параметры кристаллической структуры проявляют аномальное поведение по температуре в интервале 175 – 250 K, в этой же области наблюдается аномалия в поведении частот внутримолекулярных колебаний молекулы ET, что связывается с изменением степени конформационного беспорядка. На основе полученных структурных данных методами квантовохимического моделирования было проанализировано влияние наблюдаемого беспорядка на электронную структуру проводящего слоя. В частности, результаты расчетов полуэмпирическим расширенным методом Хюккеля с оптимизированным под заданную систему базисом позволили установить характер распределения электронной плотности как внутри димера, так и внутри слоя в зависимости от конфигурации концевых этиленовых групп. Были выявлены основные типы перераспределения заряда между молекулами в димере ET₂. Показано, как заселенность конфигураций и степень поляризации димеров влияют на устойчивость того или иного типа зарядового упорядочения внутри проводящего слоя и, в конечном счете, на проводящие свойства кристалла.

51 0