Исследованы транспортные свойства нематических аэрогелей, состоящих из покрытых графеновой оболочкой ориентированных нановолокон муллита. Показано, что магнитосопротивление этой системы хорошо аппроксимируется двумя вкладами - отрицательным, описываемым формулой для систем со слабой локализацией, и положительным, линейным по полю и ненасыщающимся в больших магнитных полях.Характер температурной зависимости длины сбоя фазы, полученной из анализа отрицательного вклада,указывает на главную роль электрон-электронного взаимодействия в разрушении фазовой когерентностии, предположительно, на переход при низких температурах от двухмерного режима слабой локализации к одномерному. Положительный линейный вклад в магнитосопротивление, по-видимому, обусловлен неоднородным распределением в токопроводящей среде локальной плотности носителей. Установлено также,что температурную зависимость сопротивления графенизированных аэрогелей для образцов с малым содержанием углерода, когда графеновое покрытие, по-видимому, является неполным, можно представить в виде суммы двух вкладов, один из которых характерен для слабой локализации, а второй описывается прыжковым механизмом, соответствующим закону Эфроса – Шкловского в случае гранулярной проводящей среды. Для образцов с большим содержанием углерода второй вклад отсутствует.
Обнаружение сверхпроводимости при мегабарных (МБ) давлениях в сероводороде H3S, затем в полигидридах металлов, начиная с бинарных, LaH10 и др., и заканчивая тройными, в том числе (La, Y)H10, произвело революцию в области физики конденсированного состояния. Эти открытия укрепляют надежду на решение столетней проблемы создания материалов, обладающих сверхпроводимостью при комнатной температуре. В экспериментах, выполненных при МБ-давлениях в последние 5 лет, помимо самого синтеза гидридов, их физические свойства исследовались с использованием методов оптической, рентгеновской и мессбауэровской спектроскопии, а также гальваномагнитных измерений. Мы приводим основные результаты гальваномагнитных измерений, включая измерения в сильных статических (до 21 Тл) и импульсных (до 70 Тл) магнитных полях. Измерения падения сопротивления до исчезающе малых значений при температурах ниже критической Tc, уменьшение критической температуры Tc с ростом магнитного поля, а также диамагнитное экранирование свидетельствуют о сверхпроводящем состоянии полигидридов. Результаты измерений изотопического эффекта, в совокупности с эффектом влияния магнитных примесей на Tc, свидетельствуют об электрон-фононном механизме спаривания электронов. Однако межэлектронные корреляции в полигидридах отнюдь не малы как в сверхпроводящем, так и в нормальном состояниях. Возможно, что именно с этим связаны необычные свойства полигидридов, не получившие пока удовлетворительного объяснения, такие как линейная температурная зависимость второго критического поля Hc2(T), линейная зависимость сопротивления ρ(T ), а также линейное магнитосопротивление, весьма похожее на обнаруженное П. Л Капицей в 1929 г. Статья для специального выпуска ЖЭТФ, посвященного 130-летию П. Л. Капицы
Измерены спектры андреевского отражения σN S (V, T) = (dI/dV )(V, T)точечных контактов Ag/FeSe вдиапазоне температур T= 4–14 К. Анализ спектров в рамках двухзонной модели с параметрами порядкаs-симметрии выявил две энергетические щели ∆i(i= 1,2) и позволил построить их зависимости оттемпературы. Аппроксимация зависимостей ∆i(T)двухзонной изотропной моделью в «чистом» пределе показала, что для их описания необходим учет как внутризонных, так и межзонных взаимодействийсверхпроводящих конденсатов. Такое описание соответствует s- или s++-симметрии параметра порядка.
Изучены характеристики точечных контактов Джозефсона Pb0 . 6In0 . 4 / KFe2As2 и KFe2As2 / KFe2As2. Измерены зависимости характерного напряжения контактов от температуры V C (T ) и зависимости амплитуд первых ступенек тока на вольт-амперных характеристиках от мощности электромагнитного излучения с частотой 7.6 ГГц. Установлено, что зависимости V C (T ) для всех контактов можно описать моделью SIS*IS-контакта (S - сверхпроводник, I - изолятор, S* - сверхпроводник с меньшей критической температурой) для сверхпроводников с s-симметрией параметра порядка. Доказано, что период осцилляций ступенек тока в зависимости от мощности СВЧ-излучения можно точно аппроксимировать резистивной моделью контакта с I S = I C sin(ϕ). Полученные результаты согласуется с обычной s-симметрией параметра порядка в KFe2As2.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation