By this author

IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV

Issue number 5 from 15.11.2024

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.

127 0

Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride

Issue number 3 from 01.03.2023

Изучен механизм поперечного транспорта заряда через многослойный гексагональный нитрид бора (h-BN) в структурах металл - диэлектрик - полупроводник. Экспериментальные данные по транспорту проанализированы в рамках различных моделей переноса заряда в диэлектриках. Показано, что транспорт заряда через h-BN описывается моделью фонон-облегченного туннелирования между нейтральными ловушками. Определены значения термической и оптической энергий фонон-связанных ловушек в h-BN. Из анализа транспортных измерений, рентгеновских фотоэлектронных спектров и электронной структуры собственных дефектов в h-BN, рассчитанной методом ab initio, установлено, что наиболее вероятным дефектом, ответственным за транспорт заряда в h-BN, является дивакансия бор - азот. При этом транспорт заряда осуществляется электронами.

41 0