Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ Xe С ЭНЕРГИЕЙ 167 МЭВ НА СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ СВОЙСТВА ВТСП-ЛЕНТ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ

Номер выпуска 6 от 01.06.2024

Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1 ・ 1012 см-2. Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см2 поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5–8 нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.

124 0

Магнитный отклик электронов проводимости в немагнитных гексаборидах YB6, LaB6 и YbB6 с электронной и структурной неустойчивостью

Номер выпуска 3 от 01.09.2023

Выполнены детальные исследования и предложена процедура разделения вкладов в намагниченность монокристаллов немагнитных гексаборидов YB6, LaB6 и YbB6. Показано, что малые отрицательные0значения электронной восприимчивости χe(T ) в металлах YB6, LaB6 определяются, по-видимому, малым значением эффективной массы зонных носителей m∗ ∼ 0.5m , что приводит к взаимной компенсации паулиевской компоненты и диамагнетизма Ландау. Обнаружены изменения χe(T ) в интервалах ∗T < T∗∼ 50 K и T > 150 K, которые связываются с переходом порядок-беспорядок ниже Tи вкладомносителей, обусловленным ян-теллеровской структурной неустойчивостью борного каркаса.

0