Статьи автора

ПРЕДСКАЗАНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ФАЗ СУЛЬФИДА СЕРЕБРА, ПРОИЗВОДНЫХ ОТ АРГЕНТИТА

Номер выпуска 3 от 01.03.2024

Широко известны такие фазы сульфида серебра, как объемно-центрированный кубический аргентит и моноклинный акантит. Традиционно акантит рассматривается как единственная низкотемпературная фаза сульфида серебра. Низкотемпературный моноклинный акантит можно рассматривать как результат упорядочения атомов серы в неметаллической объемно-центрированной кубической подрешетке арген тита, сопровождающегося перераспределением атомов серебра. Однако нельзя исключить возможное существование других низкотемпературных фаз сульфида серебра. Поиск модельных фаз сульфида се ребра выполнен с использованием эволюционного алгоритма. Рассмотрена возможность образования фаз Ag2S с кубической, тетрагональной, орторомбической, тригональной, моноклинной и триклинной симметриями. Расчет энергии когезии и энтальпии образования показал, что энергетически наиболее благоприятно образование низкосмметричных фаз Ag2S. Вычислены упругие константы жесткости cij всех предсказанных фаз Ag2S и определена их механическая устойчивость. Рассчитаны плотности электронных состояний предсказанных фаз Ag2S. Найдены каналы переходов беспорядок–порядок, связанные с образованием из неупорядоченного аргентита низкотемпературного нерелаксированного моноклинного акантита α-Ag2S и кубического (пространственная группа Pn3m) сульфида серебра Ag2S. Определены пространственные распределения модулей Юнга и всестороннего сжатия кубического (пространственная группа Pn3m) сульфида серебра Ag2S и установлена слабая анизотропии его упругих свойств.

113 0

ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er

Номер выпуска 3 от 15.09.2024

Исследованы особенности формирования полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O. Теоретические расчеты, выполненные в рамках метода GGA+U с учетом электронных корреляций в 4f-оболочке редкоземельных элементов, показали, что три соединения, DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O, являются полупроводниками с малой по величине прямой щелью 0.06, 0.10 и 0.09 эВ для DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O соответственно в высокосимметричной точке X. Обнаружено, что для формирования запрещенной зоны в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов важными оказываются как проведение оптимизации кристаллической структуры, так и учет спин-орбитального взаимодействия. Оксисульфостибниты редкоземельных металлов, как и их слоистые структурные аналоги оксисульфиды, благодаря своим свойствам могут найти широкое применение в биомедицине, фотолюминесценции и других областях.

119 0