Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Номер выпуска 3 от 15.09.2025

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций AlO/TiO в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

34 0