- Код статьи
- 10.31857/S0044451024050043-1
- DOI
- 10.31857/S0044451024050043
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 165 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 647-654
- Аннотация
- Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 15.05.2024
- Год выхода
- 2024
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 103
Библиография
- 1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).
- 2. W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).
- 3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).
- 4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).
- 5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).
- 6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).
- 7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).
- 8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).
- 9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).
- 10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).
- 11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).
- 12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).
- 13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
- 14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).
- 15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).
- 16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).
- 17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).
- 18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).
- 19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).
- 20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).
- 21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).
- 22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).
- 23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).
- 24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).
- 25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).
- 26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).
- 27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).
- 28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).
