- Код статьи
- 10.31857/S0044451023110068-1
- DOI
- 10.31857/S0044451023110068
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 164 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 761-769
- Аннотация
- Экспериментально исследовано зеемановское расщепление в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведенный численный расчет волновых функций экситонных состояний, учитывающий зоны тяжелых дырок, легких дырок и зону, отщепленную спин-орбитальным взаимодействием, количественно согласуется с экспериментальными данными как для экситона с тяжелой дыркой, так и для экситона с легкой дыркой. Показано, что для объяснения экспериментально полученных значений зеемановского расщепления в исследованной квантовой яме необходим учет как кулоновского взаимодействия, так и вклада трех зон в валентной зоне. Описан эффект экранирования экситонных состояний двумерным газом электронов,концентрация которых составляет величину n ≈ 109-см . Численный расчет проведен для большогодиапазона ширин квантовых ям и концентраций алюминия в барьерах, составлена карта зависимостивеличины эффективного g-фактора от этих параметров для магнитного поля величиной B = 5 Тл.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 1
Библиография
- 1. G. E. W. Bauer and T. Ando, Phys. Rev. B 37, 3130(R) (1988).
- 2. H. Wang, M. Jiang, R. Merlin, and D. G. Steel, Phys. Rev. Lett. 69, 804 (1992).
- 3. N. J. Traynor, R. J. Warburton, M. J. Snelling, and R. T. Harley, Phys. Rev. B 55, 15701 (1997).
- 4. В. Б. Тимофеев, М. Байер, А. Форхел, М. Потемски, Письма в ЖЭТФ 64, 52 (1996).
- 5. L. M. Roth, B. Lax, and S. Zwerdling, Phys. Rev. 114, 90 (1959).
- 6. W. Zawadzki, P. Pfe er, R. Bratschitsch et al., Phys. Rev. B 78, 245203 (2008).
- 7. I. A. Yugova, A. Greilich, D. R. Yakovlev et al., Phys. Rev. B 75, 245302 (2007).
- 8. W. Shichi, T. Ito, M. Ichida et al., Jpn. J. Appl. Phys. 48, 063002 (2009).
- 9. А. А. Киселев, Л. В. Моисеев, ФТТ 38, 1574 (1996).
- 10. J. J. Davies, D. Wolverson, V. P. Kochereshko et al., Phys. Rev. Lett. 97, 187403 (2006).
- 11. L. C. Smith, J. J. Davies, D. Wolverson et al., Phys. Rev. B 78, 085204 (2008).
- 12. J. J. Davies, L. C. Smith, D. Wolverson et al., Phys. Rev. B 81, 085208 (2010).
- 13. L. C. Smith, J. J. Davies, D. Wolverson et al., Phys. Rev. B 83, 155206 (2011).
- 14. P. S. Grigoryev, O. A. Yugov, S. A. Eliseev et al., Phys. Rev. B 93, 205425 (2016).
- 15. М. В. Дурнев, ФТТ 56, 1364 (2014).
- 16. M. V. Durnev, M. M. Glazov, and E. L. Ivchenko, Phys. E 44, 797 (2012).
- 17. Д. В. Кулаковский, С. И. Губарев, Ю. Е. Лозовик, Письма в ЖЭТФ 74, 123 (2001).
- 18. R. C. Iotti and L. C. Andreani, Phys. Rev. B 56, 3922 (1997).
- 19. A. D'Andrea, N. Tomassini, L. Ferrari et al., J. Appl. Phys. 83, 7920 (1998).
- 20. E. L. Ivchenko, Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures, Springer-Verlag, New York (2004).
- 21. E. S. Khramtsov, P. A. Belov, P. S. Grigoryev et al., J. Appl. Phys. 119, 184301 (2016).
- 22. P. S. Grigoryev, V. G. Davydov, S. A. Eliseev et al., Phys. Rev. B 96, 155404 (2017).
- 23. P. A. Belov, Phys. E 112, 96 (2019).
- 24. M. A. Chukeev, A. S. Kurdyubov, V. A. Lovtcius et al., arXiv:2304.04988 (2023).
- 25. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, Наука, Москва (1972).
- 26. R. T. Phillips, G. C. Nixon, T. Fujita et al., Sol. St.Comm. 98, 287 (1996).
- 27. G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev et al., Phys. Rev. B 65, 115310 (2002).
- 28. K. Wagner, E. Wietek, J. D. Ziegler et al., Phys. Rev. Lett. 125, 267401 (2020).
- 29. R. A. Sergeev and R. A. Suris, Phys. St. Sol. (b) 227, 387 (2001).
- 30. I. Bar-Joseph, Semicond Sci. Technol. 20, R29 (2005).
