ОФНЖурнал экспериментальной и теоретической физики Journal of Experimental and Theoretical Physics

  • ISSN (Print) 0044-4510
  • ISSN (Online) 3034-641X

Влияние толщины инкапсулирующих слоев на качество гетероструктур на основе MoSe2

Код статьи
10.31857/S0044451023060111-1
DOI
10.31857/S0044451023060111
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 163 / Номер выпуска 6
Страницы
852-857
Аннотация
Исследована зависимость ширины линий фотолюминесценции экситонов и трионов в монослоях MoSe2 от толщины инкапсулирующих слоев гексагонального нитрида бора. Проверена возможность вариации ширины линии фотолюминесценции экситонов за счет их взаимодействия с модами резонаторов, образованных кремниевой подложкой и верхним слоем нитрида бора. Это взаимодействие может приводить к существенным изменениям ширины линий фотолюминесценции за счет эффекта Парселла. Измерения, выполненные на серии образцов с разной толщиной верхнего и нижнего слоев нитрида бора, не выявили влияния эффекта Парселла на ширину линии. Тем не менее оказалось, что ширина линий уменьшается в несколько раз при увеличении толщины нижнего слоя нитрида бора с 10 до 100 нм и при толщине 100 нм достигает порядка 2 мэВ. Такое сужение линий фотолюминесценции предположительно связано с уменьшением плотности пузырей субмикронного размера из-за релаксации продольного напряжения в толстом слое нитрида бора.
Ключевые слова
Дата публикации
15.06.2023
Год выхода
2023
Всего подписок
0
Всего просмотров
33

Библиография

  1. 1. G. Wang, A. Chernikov, M. Glazov et al., Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
  2. 2. Arash Rahimi-Iman, Semiconductor Photonics of Nanomaterials and Quantum Structures Applications in Optoelectronics and Quantum Technologies, Springer Series in Solid-State Sciences, Springer Science and Business Media Deutschland GmbH (2021).
  3. 3. G. Moody, D. C. Kavir, K. Hao et al., Nat.Commun. 6, 8315 (2015).
  4. 4. T. Jakubczyk, V. Delmonte, M. Koperski et al., Nano Lett. 16, 5333 (2016).
  5. 5. F. Cadiz, E. Courtade, C. Robert et al., Phys. Rev. X 7, 021026 (2017).
  6. 6. А. В. Черненко, А. С. Бричкин, Изв. РАН, сер. физ. 85, 245 (2021).
  7. 7. J. Wierzbowski, J. Klein, F. Sigger et al., Sci. Rep. 7, 12383 (2017).
  8. 8. H. H. Fang, B. Han, C. Robert et al., Phys. Rev. Lett. 123, 067401 (2019).
  9. 9. G. D. Shepard, A. A. Obafunso, Li Xiangzhi et al., 2D Mater. 4, 021019 (2017).
  10. 10. M. Selig, G. Berghaeuser, A. Raja et al., Nat.Commun. 7, 13279 (2016).
  11. 11. J. C. G. Henriques, N. A. Mortensen, and N. M. R. Peres, Phys. Rev. B 103, 235402 (2021).
  12. 12. T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehne, Phys. Rev. B 45, 8989 (1992).
  13. 13. S. Lippert, L. M. Schneider, D. Renaud et al., 2D Mater. 4, 025045 (2017).
  14. 14. D. Kaplan, Y. Gong, K. Mills et al., 2D Mater. 3, 015005 (2016).
  15. 15. E. Khestanova, F. Guinea, L. Fumagalli et al., Nat.Commun. 7, 12587 (2016).
  16. 16. A. V. Tyurnina, D. A. Bandurin, E. Khestanova et al., ACS Photonics 6, 516 (2019).
  17. 17. L. Schneider, S. Esdaille, D. Rhodes et al., Opt. Express 23, 37131 (2019).
  18. 18. S. Du erwiel, S. Schwarz, F. Withers, et al., Nat.Commun. 6, 8579 (2015).
  19. 19. T. LaMountain, J. Nelson, E. J. Lenferink et al., Nat.Commun. 12, 4530 (2021).
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека